BSP125 L6327 全國供應商、價格、PDF資料

BSP125 L6327詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：120mA

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

• C0805Y223K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0805

• B43540B2158M60

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 1500UF 200V

• BSP123 L6327

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

• B41821A5228M9

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SINGLE END 2200UF 25V

• BQ2084DBT-V150

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC GAS GAUGE FOR BQ29312 38TSSOP

• C3EES-3418M-ND

  矩形    CW Industries    38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IDC CABLE - CCE34S/AE34M/CCE34S

• 7-1879275-6

  芯片電阻 - 表面安裝    TE Connectivity    0805（2012 公制）    RES 4.64K OHM 1/8W 0.1% 0805

• C0805Y333K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0805

• B43540B2158M7

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 1500UF 200V

• C3EES-4036G-ND

  矩形    CW Industries    TO-261-4，TO-261AA    IDC CABLE - CCE40S/AE40G/CCE40S

• 7-1879276-0

  芯片電阻 - 表面安裝    TE Connectivity    0805（2012 公制）    RES 9.76K OHM 1/8W 0.1% 0805

• BQ2084RTTR-V140

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    36-QFN    IC GAS GAUGE FOR BQ29312 36-QFN

• B43540B2397M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 390UF 200V

• C0805Y472K1RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4700PF 100V 10% X7R 0805

• BSP125 L6433

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223